Propriedades eletrônicas de estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade

Abstract

Estudos das propriedades de elétrons confinados em hetero estruturas semi condutoras de dimensionalidade reduzida como poços quânticos, heterojunções, fios quânticos e pontos quânticos compostos principalmente de GaAs-AlGaAs. Uma especial atenção é dada para os efeitos de muitos corpos, como, por exemplo, o cálculo da energia das excitações coletivas de um gás de elétrons confinados em fios quânticos. Também estamos interessados no cálculo das energias de ligação e da energia de transição entre os níveis de uma impureza doadora confinada nestes sistemas, considerando os efeitosdo acoplamento elétron-fonon longitudinal óptico e interfacial óptico, bem como o efeito de campos elétricos e magnéticos sobre os estados eletrônicos. Temos também estudado a estrutura eletrônica de hetero estruturas semi condutoras não dopadas, com dopagem modulada e com dopagem tipo delta sob a ação de campos elétricos e magnéticos externos. Nesses sistemas estamos principalmente interessados em suas propriedades ópticas e no tunelamento ressonante de elétrons e buracos em poços quânticos duplos.